A Drain Lag Model for GaN HEMT based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

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Metadaten
Author: Peng Luo, Olof Bengtsson, Matthias Rudolph
DOI:https://doi.org/10.1109/MWSYM.2017.8059085
ISBN:978-1-5090-6360-4
Title of the source (English):IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 4-9 June 2017, Honololu, HI, USA
Publisher:IEEE
Place of publication:Piscataway, NJ
Document Type:Conference Proceeding
Language:English
Year of publication:2017
First Page:240
Last Page:243
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / Stiftungsprofessur Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
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