Growth of ScN(111) on Sc₂O₃ (111) for GaN integration on Si(111): Experiment and ab initio calculations

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Author: Prabha Sana, Henriette Tetzner, Jarek Marek Dabrowski, Lidia Lupina Tarnawska, Ioan Costina, Sarad Thapa, Peter Storck, Thomas Schröder, Marvin H. Zöllner
DOI:https://doi.org/10.1063/1.4963826
ISSN:1089-7550
ISSN:0021-8979
Title of the source (English):Journal of Applied Physics
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2016
Volume/Year:120
First Page:135103
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Halbleitermaterialien
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