Gap - Zustände in Wolframoxid WO3 - relaxierten Oberflächen
- Vorgestellt werden Arbeiten an dünnen WO3-Schichten, die durch Verdampfen aus einer Knudsenzelle im UHV präpariert wurden. Diese Filme sind im Rahmen der XPS-Analysen stöchiometrisch, ohne Gap-Zustände. Definierte Gap-Zustände bilden sich durch Relaxierung der Oberfläche: nach einigen Stunden im UHV, nach Heizen in Argon-Atmosphäre und nach Belegung mit Natrium. Die Charakterisierung dieser definierten Wolframoxid-Schichten erfolgt durch: 1.)XPS-Intensitäten 2.)detailierte Analyse der W4f-Rumpfniveaus durch Synchrotronstrahlung (Bessy, TGM 7) 3.)die Variation der Austrittsarbeit beim Heizen und bei Natrium-Belegung 4.)das Auftreten von Gap-Zuständen in der Bandlücke
Author: | Thomas Heller, Oliver Böhme, Dieter SchmeißerORCiD |
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URL: | http://www.dpg-verhandlungen.de/year/1998/conference/regensburg/part/o/session/11/contribution/102?lang=en |
Title of the source (German): | Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft |
Publisher: | Deutsche Physikalische Gesellschaft |
Place of publication: | Bad Honnef |
Document Type: | Conference Proceeding |
Language: | German |
Year of publication: | 1998 |
Tag: | Gapzustände; Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS); WO3 |
Series ; volume number: | Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; Reihe 6, Band 33 |
Faculty/Chair: | Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Angewandte Physik und Halbleiterspektroskopie |