Engineering coalescence by annealing of 3D Ge microstructures into high-qualtiy suspended layers on Si

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Author: Marco Salvalaglio, Roberto Bergamaschini, Fabio Isa, Andrea Scaccabarozi, Giovanni Isella, Rainer Backofen, Axel Voigt, Francesco Montalenti, Giovanni CapelliniORCiD, Anna Marzegalli, Thomas Schroeder, Hans von Känel, Leo Miglio
DOI:https://doi.org/10.1021/acsami.5b05054
ISSN:1944-8244
Title of the source (English):ACS Applied Materials and Interfaces
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2015
Volume/Year:7
Issue number:34
First Page:19219
Last Page:19225
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Halbleitermaterialien
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