Ternary and Quaternary Ni(Si)GeSn Contact Formation for highly strained Ge p- and n-MOSFETs

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Author: S. Wirths, R. Troitsch, G. Mussler, T. Stoica, J.-M. Hartmann, Peter Zaumseil, Thomas Schroeder, Siegfried Mantl, Dan Buca
DOI:https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/5/055003
ISSN:0268-1242
Title of the source (English):Semiconductor Science and Technology
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2015
Volume/Year:30
Issue number:5
First Page:055003
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Halbleitermaterialien
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