Bias-Dependent Pospieszalski Noise Model for GaN HEMT Devices
Author: | Matthias Rudolph, Ralf Dörner |
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URL: | http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6775103&isnumber=6775099 |
ISBN: | 978-3-8007-3585-3 |
Title of the source (English): | GeMiC 2014, German Microwave Conference 2014, March 10 - 12, 2014, Aachen, Germany |
Publisher: | VDE-Verl. |
Place of publication: | Berlin [u.a.] |
Document Type: | Conference Proceeding |
Language: | English |
Year of publication: | 2014 |
Number of pages: | 4 |
Faculty/Chair: | Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / Stiftungsprofessur Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik |
Institution name at the time of publication: | Fakultät für Maschinenbau, Elektrotechnik und Wirtschaftsingenieurwesen (eBTU) / Ulrich-Rohde-Stiftungsprofessur für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik |