Virtual GaN substrates via Sc2O3/Y2O3 buffers on Si(111): TEM Characterization of growth defects

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Metadaten
Author: T. Niermann, D. Zengler, Lidia Lupina Tarnawska, Peter Storck, Thomas Schroeder
ISSN:0021-8979
Title of the source (English):Journal of Applied Physics
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2013
Volume/Year:113
Issue number:22
First Page:223501
Last Page:223501-8
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Halbleitermaterialien
Institution name at the time of publication:Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik (eBTU) / LS Halbleitermaterialien
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