PE-ALD-Al2O3-Schichten für die Passivierung von Solarzellen

  • Dünne Al2O3-Schichten wurden bei Substrattemperaturen zwischen Raumtemperatur und 200°C mittels PE-ALD auf Si-Substraten abgeschieden und ellipsometrisch, spektroskopisch und elektrisch charakterisiert. Ihr Potenzial für die chemische und Feldeffektpassivierung der Oberflächenrekombination wird bewertet.

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Metadaten
Author: Karsten HenkelORCiDGND, Massimo TallaridaORCiD, Jörg Haeberle, Hassan Gargouri, Franziska NaumannORCiD, Bernd Gruska, Michael Arens, Dieter SchmeißerORCiD
Title of the source (German):Tagungsband Photovoltaik-Meeting: Anwendungen-Qualität-Perspektiven, Senftenberg, 16.04.2014
Publisher:Cottbus-Senftenberg
Place of publication:BTU
Editor: Bernhard K. Glück, Sindy Schmidt, Erhard Stein, Jörg-Uwe Raschke, Hans Richter
Document Type:Conference Proceeding
Language:German
Year of publication:2014
Tag:Al2O3; Atomlagenabscheidung (ALD); PE-ALD; Passivierung; negative fixe Oxidladungen
First Page:7
Last Page:14
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Angewandte Physik und Halbleiterspektroskopie
Institution name at the time of publication:Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik (eBTU) / LS Angewandte Physik / Sensorik
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