A 3.2 W coplanar single-device X-band amplifier with GaAs HBT

  • High-power GaInP/GaAs HBTs with high breakdown voltage for X-band applications are presented. To demonstrate the capabilities of these devices, a simple monolithic amplifier is realized. For a single 12-finger device with 2/spl times/70 /spl mu/m/sup 2/ emitter finger size, an output power of 3.2 W at 9 GHz with 47% PAE is achieved.

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Metadaten
Author: Friedrich LenkGND, Harald Klockenhoff, Andre Maaßdorf, Joachim Würfl, Wolfgang Heinrich
URL:http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=1637147
ISBN:88-902012-0-7
Title of the source (English):Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, 2005, EGAAS 2005
Publisher:Horizon House Publ.
Place of publication:London
Document Type:Conference Proceeding
Language:English
Year of publication:2005
First Page:49
Last Page:52
Faculty/Chair:Fakultät 3 Maschinenbau, Elektro- und Energiesysteme / FG Nachrichtentechnik
Institution name at the time of publication:Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik (eHL) / Prof. Nachrichtentechnik
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