Transferred substrate DHBT of ft = 410 GHz and fmax = 480 GHz for traveling wave amplifiers

  • We report a MMIC process in transferred substrate technology. The transistors of 0.8 times 5 mum2 emitter size feature ft = 410 GHz and fmax = 480 GHz at BVceo = 5.5 V. Traveling wave amplifiers of 12 dB broadband gain up to fc = 70 GHz were realized.

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Metadaten
Author: Thorsten Kraemer, Chafik Meliani, Friedrich LenkGND, Joachim Würfl, Günther Tränkle
DOI:https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2008.4702999
ISBN:978-1-4244-2258-6
ISBN:978-1-4244-2259-3
Title of the source (English):Indium Phosphide and Related Materials, 2008, IPRM 2008, 20th International Conference, Versailles, France, 25 - 29 May 2008
Document Type:Scientific journal article not peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2008
First Page:1
Last Page:3
Faculty/Chair:Fakultät 3 Maschinenbau, Elektro- und Energiesysteme / FG Nachrichtentechnik
Institution name at the time of publication:Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik (eHL) / Prof. Nachrichtentechnik
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